SK hynix rót 54 nghìn tỷ KRW xây hai nhà máy chip mới

SK hynix duyệt chi 54 nghìn tỷ KRW cho hai fab chip

Hội đồng quản trị SK hynix vừa thông qua khoản đầu tư 54 nghìn tỷ KRW (khoảng 38,3 tỷ USD) để xây dựng hai nhà máy bán dẫn mới — động thái lớn nhất trong kế hoạch đầu tư tổng thể 430 tỷ USD mà tập đoàn đặt ra nhằm mở rộng năng lực sản xuất chip. Kế hoạch này cũng là một phần trong chiến lược cấp quốc gia của Hàn Quốc nhằm củng cố ngành bán dẫn nội địa, bên cạnh đối thủ Samsung Electronics.

Fab đầu tiên — Yongin Y2 — có tổng vốn đầu tư khoảng 25 tỷ USD, được xây tại Yongin Semiconductor Cluster, khu phức hợp sản xuất chip nằm cách Seoul khoảng 32 km về phía nam. Đây là nhà máy thứ hai trong chuỗi bốn fab mà SK hynix dự kiến dựng tại đây. Fab đầu tiên của chuỗi này dự kiến khai trương vào tháng 2 năm sau. SK hynix sẽ khởi công Yongin Y2 vào tháng 7/2027; phòng sạch (cleanroom) đầu tiên — khu vực chứa thiết bị sản xuất chip đòi hỏi kiểm soát bụi và nhiệt độ tuyệt đối — dự kiến vận hành vào tháng 6/2029. Toàn bộ nhà máy có diện tích sàn khoảng 113 héc-ta khi hoàn thành.

Yongin Y2 sẽ chuyên sản xuất DRAM, đặc biệt là HBM (High Bandwidth Memory) — loại RAM tốc độ cao được dùng trong card đồ họa để lưu trữ và xử lý các mô hình AI. SK hynix hiện là nhà sản xuất HBM lớn nhất thế giới. Chip HBM gồm nhiều lớp RAM xếp chồng lên nhau, giúp truyền dữ liệu tới chip AI với băng thông cực cao. Sản phẩm HBM tiên tiến nhất của công ty là chip 12 lớp dựa trên chuẩn HBM4, ra mắt tháng 9 năm ngoái, cung cấp băng thông gấp hơn hai lần so với bộ nhớ trong card đồ họa thế hệ hiện tại.

Fab NAND flash và cuộc đua công nghệ bộ nhớ tích hợp

Fab thứ hai sẽ sản xuất NAND flash và được xây tại một khu vực đã sẵn có ba nhà máy chip của SK hynix. Nhờ tận dụng hạ tầng điện và nước có sẵn, tiến độ thi công sẽ được rút ngắn đáng kể — phòng sạch đầu tiên dự kiến hoạt động vào tháng 12/2028.

Đầu năm nay, SK hynix cùng đối tác Sandisk giới thiệu công nghệ NAND flash mới mang tên HBF (High Bandwidth Flash), xếp chồng mạch NAND theo cách tương tự HBM. Theo hai công ty, HBF có thể đạt hiệu năng ngang HBM trong khi cung cấp dung lượng lưu trữ gấp tới 16 lần.

Về phía Samsung — đối thủ số một của SK hynix trên thị trường bộ nhớ — tập đoàn này cũng đang phát triển công nghệ bộ nhớ theo chiều dọc. Mới đây, Samsung giới thiệu hai công nghệ mới cho phép xếp chồng NAND và HBM trực tiếp lên mạch logic của chip chủ, thay vì đặt cạnh nhau như hiện nay. Khoảng cách ngắn hơn giúp dữ liệu truyền nhanh hơn, từ đó tăng tốc độ xử lý tổng thể. Samsung ước tính công nghệ HBM có thể xếp chồng của họ nhanh gấp 8 lần so với HBM5 — phiên bản HBM thế hệ tiếp theo dự kiến ra mắt cuối thập kỷ này — và mật độ bộ nhớ tăng gấp 10 lần. Cuộc đua công nghệ bộ nhớ thế hệ mới đang ngày càng quyết liệt giữa hai ông lớn Hàn Quốc.

Độc giả quan tâm đến động thái của các tập đoàn công nghệ Hàn Quốc có thể theo dõi thêm tại dữ liệu doanh nghiệp Hàn → hoặc cập nhật tín hiệu cơ hội kinh doanh → từ thị trường bán dẫn.